|
☰ Все разделы → Комплектующие 5 Память для компьютера - CL 5 в городе Пограничный➤ Есть скидки по промокоду sidex250: популярные 5 Память для компьютера — купить в городе Пограничный и других городах России по скидочной цене, без предоплаты, в наличии 1631 шт. Категория: Комплектующие. Доставка в Пограничный, Москва и другие города России. Перед покупкой воспользуйтесь подбором по параметрам, читайте отзывы, смотрите характеристики. В наличии 1631 шт:
Qumo DDR2 800 DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Transcend JM800QLU-2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5.
AMD R322G805U2S-UGO - DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240 pin, 1x2 Гб, 1.8 В, CL 5, OEM.
Foxline FL800D2S05-2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR667D2S5/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR667D2N5/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Transcend TS512MFB72V6U-T - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Transcend TS128MLQ64V6U - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Lenovo 41Y2845 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
HP 377726-888 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Lenovo 43V7356 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Lenovo 46C7418 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Lenovo 39M5797 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Lenovo 46C0512 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Lenovo 41Y2732 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR667D2E5/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Patriot Memory PSD21G8002 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Оперативная память Lenovo 40Y7734 - DDR2 667 (PC2 5300) SODIMM 200 pin, 1x1 ГБ, CL 5
Оперативная память Lenovo 73P4982 - DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin, 1x256 МБ, 1.8 В, CL 5
Оперативная память Lenovo 73P4983 - DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin, 1x512 МБ, 1.8 В, CL 5
Оперативная память Lenovo 41Y2726 - DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin, 1x512 МБ, ECC, CL 5
Оперативная память Lenovo 41Y2762 - DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin, 2x1 ГБ, буферизованная, ECC, CL 5
Оперативная память Hynix DDR2 667 DIMM 2Gb - DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin, 1x2 ГБ, 1.8 В, CL 5
Оперативная память Lenovo 39M5861 - DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin, 2x512 МБ, буферизованная, низкопрофильная, ECC, CL 5
Оперативная память Lenovo 39M5864 - DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin, 2x1 ГБ, буферизованная, низкопрофильная, ECC, CL 5
Оперативная память Lenovo 39M5867 - DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin, 2x2 ГБ, буферизованная, низкопрофильная, ECC, CL 5
Оперативная память Lenovo 41Y2771 - DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin, 2x2 ГБ, буферизованная, ECC, CL 5
Оперативная память Kingston KVR800D2S5/2G - DDR2 800 (PC2 6400) SODIMM 200 pin, 1x2 ГБ, 1.8 В, CL 5
Оперативная память Lenovo 43W8378 - DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin, 2x1 ГБ, ECC, CL 5
Оперативная память Lenovo 43W8315 - DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin, 1x512 МБ, ECC, CL 5
Оперативная память Lenovo 43W8379 - DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin, 2x1 ГБ, буферизованная, ECC, CL 5
Lenovo 46C7420 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Lenovo 46C7419 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
448049-001 HP Оперативная память HP 2GB (1 DIMM) memory module, 667MHz [448049-001] - тип: DDR2, объем одного модуля: 2 ГБ, тактовая частота: 667 МГц, Форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 5
Отзывы о 448049-001 HP Оперативная память HP 2GB (1 DIMM) memory module, 667MHz [448049-001]
Память FB-DIMM PC-5300 DDR2 4Gb Kingston, ECC, Reg, 667Mhz, CL5, 1.8V (KVR667D2Q8F5/4G) - тип: DDR2, объем одного модуля: 4 ГБ, Форм-фактор: FB-DIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 5
Отзывы о Память FB-DIMM PC-5300 DDR2 4Gb Kingston, ECC, Reg, 667Mhz, CL5, 1.8V (KVR667D2Q8F5/4G)
Sun Microsystems X4226A SUN Оперативная память SUN DDRII-667 Sun-Infineon 2048Mb REG ECC LP PC2-5300 [X4226A] - тип: DDR2, тактовая частота: 667 МГц, Форм-фактор: DIMM, CL: 5
41Y2770 IBM Оперативная память IBM DDRII-667 IBM-Elpida 2048Mb REG ECC LP PC2-5300 [41Y2770] - тип: DDR2, объем одного модуля: 2 ГБ, тактовая частота: 667 МГц, Форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 5
405476-551 HP Оперативная память HP 2GB PC2-5300P DDR2-667 ECC REG [405476-551] - тип: DDR2, объем одного модуля: 2 ГБ, тактовая частота: 667 МГц, Форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 5
Отзывы о 405476-551 HP Оперативная память HP 2GB PC2-5300P DDR2-667 ECC REG [405476-551]
Оперативная память объемом 2 Гб типа DDR2 Kingston KVR667D2S5/2G позволит увеличить производительность Вашего компьютера
Team Group TED22G800HC501 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TEDD4096M667HC5DC - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TEDD4096M667HC5 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TEDD8192M667HC5DC - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24G800HC5DC01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22G800HC5DC01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22GM800HC501 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED21GM800HC501 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Patriot Memory PSD24G6672S - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24GM667C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24G667C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24G667C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22GM667C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22G667C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22GM667C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22G667C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED21GM667C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED21G667C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22G800C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22GM800C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24G800C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24GM800C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24G800C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22GM800C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22G800C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED21GM800C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED21G800C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24GM667C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Corsair TWIN2X4096-6400C5C - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Lenovo 46C0522 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Hynix DDR2 667 DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Hynix DDR2 667 Registered ECC DIMM 8Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Mushkin 991572 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Micron DDR2 800 SO-DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TSDD512M800C5-E - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Crucial BLS2CP2G2D80EBS1S00CEU - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Foxline FL800D2S05-1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Foxline FL800D2U5-1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Foxline FL800D2U5-2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP002GBLRU800S21 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
G.SKILL F2-5300CL5D-4GBSK - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
G.SKILL F2-5300CL5S-2GBSK - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
TwinMOS DDR2 800 DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP004GBFRE800U01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Hynix DDR2 667 SO-DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Samsung Low Profile DDR2 667 Registered ECC DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Отзывы о Samsung Low Profile DDR2 667 Registered ECC DIMM 2Gb
Mushkin 971559A - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
GoodRAM GR800S264L5/4G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP001GBLRU800S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Доставка товаров из категории "память для компьютера - cl 5" - в городе в Пограничный от 2х дней. Контакты - Пограничный » Изменить Город |