|
☰ Все разделы → Комплектующие 2.5 Память для компьютера - CL 2.5 в городе Новомосковск➤ Есть скидки по промокоду sidex250: популярные 2.5 Память для компьютера — купить в городе Новомосковск и других городах России по скидочной цене, без предоплаты, в наличии 740 шт. Категория: Комплектующие. Доставка в Новомосковск, Москва и другие города России. Перед покупкой воспользуйтесь подбором по параметрам, читайте отзывы, смотрите характеристики. В наличии 740 шт: 
Transcend TS32MSD64V3F5 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS128MLD64V3J - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Lenovo 10K0071 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Kingston KVR333X64C25/256 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Оперативная память Kingston KVR333X72C25/256 - DDR 333 (PC 2700) DIMM 184 pin, 1x256 МБ, ECC, 2.5 В, CL 2.5
Оперативная память Kingston KVR266X72C25/512 - DDR 266 (PC 2100) DIMM 184 pin, 1x512 МБ, ECC, 2.5 В, CL 2.5
Оперативная память Kingston KVR266X64C25/512 - DDR 266 (PC 2100) DIMM 184 pin, 1x512 МБ, 2.5 В, CL 2.5
Оперативная память Kingston KTM-TP9828/256 - DDR 333 (PC 2700) SODIMM 200 pin, 1x256 МБ, CL 2.5
Оперативная память Kingston KTC-D320/512 - DDR 333 (PC 2700) DIMM, 1x512 МБ, CL 2.5
Оперативная память Transcend JM334D643A-60 - DDR 333 (PC 2700) DIMM 184 pin, 1x256 МБ, 2.5 В, CL 2.5
Оперативная память HP 361037-B21 - DDR 333 (PC 2700) DIMM 184 pin, 2x512 МБ, ECC, 2.5 В, CL 2.5
Оперативная память Lenovo 06P4055 - DDR 333 (PC 2700) DIMM 184 pin, 1x1 ГБ, ECC, 2.5 В, CL 2.5
Оперативная память Lenovo 39M5839 - DDR 333 (PC 2700) DIMM 184 pin, 1x1 ГБ, буферизованная, ECC, CL 2.5
Оперативная память Lenovo 39M5843 - DDR 333 (PC 2700) DIMM 184 pin, 1x2 ГБ, буферизованная, ECC, CL 2.5
Оперативная память GeIL GE5123200BHDC - DDR 400 (PC 3200) DIMM 184 pin, 2x256 МБ, 2.55 В, CL 2.5
HP 261585-041 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Team Group TED12G400HC25DC01 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Mushkin 991304 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Mushkin 991011 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
GoodRAM GR333S64L25/512 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Silicon Power SP001GBLDU333O02 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS2GNE9909 - 4 модуля памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS4GNE9910 - 4 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS4GHP6000 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS4GNE196 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS8GNE228A - 4 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS4GNE185 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS4GAC008 - 4 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS4GT3410 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS4GFJ2550 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Kingston KTS9251/4G - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS2GNE195 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS4GSI810 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS2GCQ1044 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS512MCQ340A - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS8GDL4600 - 4 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS2GHP9909 - 4 модуля памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS2GIB2269 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS8GCQ2173 - 4 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS2GIB5040 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS2GCQ0680 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS512MCQ7496 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS4GCQ2172 - 4 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS8GHP228A - 4 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS1GNEMY30 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS1GIB2267 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS4GHP2000 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS4GDL4600 - 4 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS2GCQ7420 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS1GIB0071 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS1GCQ2170 - 4 модуля памяти DDR, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS2GSU9252 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS4GCQ0682 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS4GDL2650 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS2GDL1621 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS4GFJ450 - 4 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS1GIBT41 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS1GCQ0679 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS1GCQ7419 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
G.SKILL F1-3200PHU2-2GBNT - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
G.SKILL F1-3200PHU1-1GBNT - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS4GCQ1039 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS4GIB3287 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS512MIB0032 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 266 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Lenovo 33L5040 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS512MSY430G - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS1GSY35MX - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS256MSY430G - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS512MHP855 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS1GIB5039 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS2GNE157F - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS2GHP8088 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS2GT3300 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS2GNE184 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS2GAU1380SM - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS2GFJ2550 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS2GHP7842 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS2GDL4600 - 4 модуля памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS1GDL450E - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS512MAPG4266S - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 266 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS512MAPG4333S - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Lenovo 73P2266 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, частота 333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS512MNE193 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS1GNE194 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS512MSYBST - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор MicroDIMM, 172-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS512MT512D - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS512MT512E - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS1GSI810 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS64MLD72V3J - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS64MLD64V3J - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS64MLD64V6J - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS1GAPG4333 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Доставка товаров из категории "память для компьютера - cl 2.5" - в городе в Новомосковск от 2х дней. Контакты - Новомосковск » Изменить Город |
1 557 726 выполненных заказов
Гипермаркет Сайдекс — 21 лет всегда низкие цены!
Buba
30.07.2021
Константин
18.02.2021
Вадим И.
27.02.2020
Алексей Т.
25.02.2020
Николай К.
24.02.2020
Александр М.
23.02.2020
Сидоров
18.02.2020
Александр Л.
17.02.2020
Simf68
15.02.2020
Сидоров
12.02.2020
Сергей Чуманкин
09.02.2020
Анастасия Г.
06.02.2020
Nadejdak1775
05.02.2020
Егор С.
02.02.2020
Олег Х.
01.02.2020
Михаил С.
31.01.2020
александр г.
30.01.2020
Dean Lowrey
30.01.2020
Елена Б.
29.01.2020
Антон К.
27.01.2020
САЙДЕКС © 2003-2024
